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7月7日晚间,神工股份发布对外投资公告,公司规划同步建设三大硅材料产业化项目,整体投资总额约11.3亿元,项目实施主体均为旗下锦州神工半导体,厂区集中落地辽宁锦州。公告划分三大项目投资额度与建设周期,资金投入、落地节奏梯度清晰。硅零部件新品研发及配套硅材料扩产项目为本次核心投资,拟投入5.86亿元,
如果把AI芯片比作“大脑”,那HBM就是它赖以生存的“大动脉”——每秒数太字节的数据吞吐,让大模型得以飞速运转。但这条“动脉”正在逼近物理极限:堆叠层数越高,良率越像走钢丝;成本越涨,产能却被巨头提前数年
近日,盛吉盛半导体科技股份有限公司官宣完成D轮股权融资,本轮募资总额超10亿元。本轮投资方阵容多元,引入国家级金融集团、各地国资平台、半导体产业基金及市场化创投机构,同时原有股东持续追加投资。企业披露,募集资金将全部投向核心薄膜沉积设备迭代升级、前沿新品技术研发,同步扩充产能规模,匹配国内晶圆厂扩产
7月7日,《日经新闻》披露三菱化学与日本制钢所(JSW)氮化镓衬底产能扩张与产品迭代规划。两家企业长期联合研发功率半导体自支撑氮化镓衬底,三菱化学负责籽晶、材料工艺研发,JSW依托室兰工厂高温高压晶体生长产线完成衬底制造。根据最新规划,双方将持续扩充功率型GaN衬底产能,目标2027年整体产能较20
7月8日,拓荆科技召开业绩说明会,董事长吕光泉现场对外披露公司量产进度、盈利走势、市场份额及中长期技术布局相关内容,科创板日报、电子工程专辑同步完整刊发现场采访实录。吕光泉表示,公司旗下先进制程薄膜沉积设备已完成客户工艺验证,正式进入规模化量产阶段。盈利层面,2026年一季度公司毛利率实现回升,结合