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3月17日,韩国SK集团董事长崔泰源在美国加州圣何塞举行的英伟达GTC大会上表示,由于芯片生产存在系统性瓶颈,他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030 年。与此同时,他预计DRAM、NAND和 HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨,涨势可能会持续较长时间。上个月,崔泰源在参加于美国华盛顿特
近期,媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司已订购原材料和组件。三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET, 聚焦车规级、工业级等高可靠性应用。未来三星还计划拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、功率模块等全系列产品,完善碳化硅功率器件产品矩阵。
据韩国媒体 BusinessKorea 报道,全球半导体巨头三星电子(Samsung Electronics)近日正式确认,已启动第八代高带宽内存 HBM5 的开发工作。在这一代产品中,三星计划打破行业传统,在其底层芯片(Base Die)上首次应用 2 纳米(nm) 先进制程工艺。在近日于美国加州
3月17日,OPPO全新大折叠旗舰Find N6和Watch X3智能手表惊艳亮相。OPPO Find N6首次通过德国莱茵60万次折叠久用平整测试,配备哈苏2亿超清四摄,支持OPPO AI手写笔。OPPO Find N6核心配置上全面进阶,搭载高通骁龙8 Elite Gen5处理器,机身正面配备8
3月17日,北京君正在深交所互动易平台回应投资者提问时表示,目前公司DRAM芯片、Flash芯片及部分计算芯片价格均有调整,DRAM新制程产品已正式启动销售,预计2026年公司业绩将实现较好增长。据悉,自2025年三季度起,北京君正的DRAM产品已持续调整价格,不同品类产品调整幅度存在差异,Flas