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来源:The Asahi Shimbun日本首相岸田文雄(左三)在参观 Rapidus公司新工厂的规划用地后与Rapidus公司董事长东哲郎(左二)合影。照片拍摄于7月24日,地点为北海道千岁市。日本首相岸田文雄加倍支持国内下一代芯片的生产,并承诺提供政府资金。岸田文雄于近日参观了Rapidus公司
来源:博顿光电《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》由工信部牵头制订,根据国家和重点产业的重大技术装备发展情况每2-3年动态调整一次,体现了政府对重大技术装备发展的引导。根据要求,入选指导目录的技术装备产品需具备突破性技术,并已在市场上实现销售或处于研制阶段,同时拥有已授权发明专利。这一举措旨在
来源:Silicon SemiconductorSkyWater位于明尼苏达的工厂旨在拥有世界上最先进的200毫米光刻技术。SkyWater Technology已从 Multibeam Corp. 获得首款用于批量生产的多柱电子束光刻 (MEBL) 系统。Multibeam (MB) 平台是半导体
近日,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)官方微信消息,其标准化委员会(CASAS)公布了13项标准新进展,包括2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案、2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见、9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制。012项GaN HEMT
来源:III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构,以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中,III