来源:Silicon Semiconductor
非常适合汽车LED头灯和其他高速开关应用。
ROHM(罗姆)开发了100V击穿肖特基势垒二极管 (SBD),可为汽车、工业和消费应用中的电源和保护电路提供“业界领先”的反向恢复时间 (trr)。
尽管存在多种类型的二极管,但高效SBD越来越多地用于各种应用。特别是具有沟槽MOS结构的SBD,其VF低于平面型,可在整流应用中实现更高的效率。然而,沟槽MOS结构的一个缺点是它们的trr通常比平面拓扑差,导致用于开关时的功率损耗更高。
为此,ROHM开发了一个新系列,采用专有的沟槽MOS结构,可同时降低VF和IR(处于权衡关系),同时实现同类领先的trr。
YQ系列是ROHM首款采用沟槽MOS结构的YQ系列,它扩展了现有的四种传统SBD产品阵容,并针对各种要求进行了优化。该专有设计实现了同类领先的15ns trr,从而将trr损耗降低了约37%,总体开关损耗比一般沟槽型MOS产品低约26%,有助于降低应用功耗。与传统平面型SBD相比,新结构还改善了VF和IR损耗。当用于正向偏置应用(例如整流)时,这会降低功率损耗,同时还降低热失控风险,而热失控是SBD的主要问题。因此,它们非常适合需要高速开关的装置,例如汽车LED头灯的驱动电路和xEV中容易产生热量的DC-DC转换器。
展望未来,罗姆将努力进一步提高从低电压到高电压的半导体器件的质量,同时加强其广泛的产品阵容,以进一步降低功耗并实现更大的小型化。
SBD沟槽MOS结构
沟槽MOS结构是通过在外延片层中使用多晶硅形成沟槽来减轻电场集中的。这降低了外延晶圆层的电阻,从而在正向施加电压时实现更低的VF。同时,在反向偏压期间,电场集中最小化,从而大大降低IR。因此,与传统产品相比,YQ系列将VF和IR提高了约7%和82%。
与典型的沟槽MOS结构相比,由于寄生电容(器件中的电阻成分)较大,trr比平面型MOS结构差,YQ系列通过采用独特的结构设计,实现了业界领先的15ns trr。这使得开关损耗减少约26%,有助于降低应用功耗。
应用实例
•汽车LED头灯
•xEV DC-DC转换器
•工业设备电源
•灯光
原文链接:
https://siliconsemiconductor.net/article/118681/ROHM_introduces_new_SBDs
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